| MARCA | SAMSUNG |
| MODELO | 990 EVO PLUS |
| NUMERO DE PARTE | MZ-V9S1T0B/AM |
| CAPACIDAD | 1 TB |
| INTERFAZ | PCIe Gen 4.0 x4 NVMe 2.0
PCIe Gen 5.0 x2 NVMe 2.0
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| VELOCIDAD DE LECTURA | 7150 MB/S |
| VELOCIDAD DE ESCRITURA | 6300 MB/S |
| FORMATO | M.2 2280 |
| TIPO DE CHIP | TIPO CHIP | SAMSUNG V-NAND TLC (V8) |
| CARACTERISTICAS TECNICAS | CONSUMO DE ENERGIA: ACTIVO (LECTURA / ESCRITURA): 4.3W / 4.2W |
| DATA ENCRYPTION: Class 0 (AES 256) , TCG/Opal v2.0, MS eDrive (IEEE1667) |
| MEMORIA CACHE: HMB (HOST MEMORY BUFFER) |
| DIMENSIONES DEL PRODUCTO | (Ancho x Altura x Profundidad): 2.28 x 0.25 x 8.12 CM |
