| MARCA | SAMSUNG |
| MODELO | 9100 PRO |
| NUMERO DE PARTE | MZ-VAP1T0B/AM |
| CAPACIDAD | 1 TB |
| INTERFAZ | PCIe Gen 5.0 x4 NVMe 2.0
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| VELOCIDAD DE LECTURA | 14,700 MB/S |
| VELOCIDAD DE ESCRITURA | 13,300 MB/S |
| FORMATO | M.2 2280 |
| TIPO DE CHIP | TIPO CHIP | SAMSUNG V NAND TLC (V8) |
| CARACTERISTICAS TECNICAS | CONSUMO DE ENERGIA: ACTIVO (LECTURA / ESCRITURA): 7.6W / 7.2W | | DATA ENCRYPTION: Class 0 (AES 256) , TCG/Opal v2.0, MS eDrive (IEEE1667) | | MEMORIA CACHE: 1GB LPDDR4X |
| DIMENSIONES DEL PRODUCTO | (Ancho x Altura x Profundidad): 2.28 x 0.22 x 8.12 CM |
| PESO | 9.07 GR |
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